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杭州微纳核芯电子科技请求DRAM近存封装结构及其封装办法专利处理现有计划结构的问题
时间: 2024-12-24 20:17:21 | 作者: 政府工程
产品概述
金融界2024年10月22日音讯，国家知识产权局信息数据显现，杭州微纳核芯电子科技有限公司请求一项名为“一种DRAM近存封装结构及其封装办法”的专利，公开号CN 118765116 A，请求日期为2024年8月。
专利摘要显现，本发明触及一种DRAM近存封装结构及其封装办法，绵亘：基板；晶圆，设置在基板上；引线，别离衔接基板和晶圆；谈判，晶圆上构成刻蚀；引线一端衔接晶圆上刻蚀方位，引线另一端衔接基板。晶圆绵亘榜首芯片和混合键合在榜首芯片上的第二芯片；谈判，榜首芯片为逻辑芯片或内存芯片；第二芯片不同于榜首芯片，混合键合在榜首芯片上；谈判，当榜首芯片为逻辑芯片时，第二芯片为内存芯片；当榜首芯片为内存芯片时，第二芯片为逻辑芯片。处理了现有计划中封装办法本钱比较高，制备的封装结构中硅通孔对封装结构的规划和应力都会发生必定的影响，也会限制片间传输宽带的问题。
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